Wafer Gréine Monocrystalline Cineál P Cineál

Réamhrá Táirgí:

Is féidir le M10 le toise de wafer gréine sileacain monocrystalline 182mmx182mm le trastomhas 247mm cealla gréine cumhachta níos airde a dhéanamh.

Glaoigh Linn

Chatear nu'bya

Cur síos

Paraiméadair theicniúla

158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2

P type monocrystalline wafer 1

P type monocrystalline wafer 2

Tá wafer gréine sileacain monocrystalline 210mmx210mm M12 le trastomhas 295mm 80.5% níos mó ná wafer M2.

1 Airíonna ábhair

Maoin	Sonraíocht	Modh Cigireachta
Modh fáis	CZ
Crystallinity	Monocrystalline	Teicnící Fabhracha Etch（ASTM F47-88）
Cineál seoltachta	Cineál P.	Napson EC-80TPN P/N
Dopant	Bórón, Gallium	-
Tiúchan ocsaigine [Oi]	≦8E+17 ag / cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Tiúchan carbóin [Cs]	≦5E+16 ag / cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Dlús poll eitse (dlús dislocation)	≦500 cm^-3	Teicnící Fabhracha Etch（ASTM F47-88）
Treoshuíomh dromchla	& lt; 100> ± 3 °	Modh Díraonta X-gha (ASTM F26-1987)
Treoshuíomh taobhanna bréagacha cearnacha	& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °	Modh Díraonta X-gha (ASTM F26-1987)

2 Airíonna leictreacha

Maoin

Sonraíocht

Modh Cigireachta

Friotaíocht

0.5-1.5 Ωcm

Córas cigireachta wafer

MCLT (saolré iompróra mionlaigh)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(le leibhéal insteallta: 1E15 cm^-3)

3Céimseata

Maoin	Sonraíocht	Modh Cigireachta
Céimseata	Cearnóg iomlán
Fad taobh Wafer	182 ± 0.25 mm	córas cigireachta wafer
Trastomhas Wafer	φ247 ± 0.25 mm	córas cigireachta wafer
Uillinn idir na taobhanna cóngaracha	90° ± 0.2°	córas cigireachta wafer
Tiús	180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm	córas cigireachta wafer
TTV (Athrú iomlán tiús)	≤27 µm	córas cigireachta wafer

4 Airíonna dromchla

Maoin	Sonraíocht	Modh Cigireachta
Modh gearrtha	DW	--
Cáilíocht dromchla	de réir mar a dhéantar iad a ghearradh agus a ghlanadh, ní cheadaítear aon éilliú infheicthe, (ola nó ramhar, priontaí méar, stains gallúnaí, stains sciodair, stains eapocsa / gliú)	córas cigireachta wafer
Saw marcanna / céimeanna	≤ 15µm	córas cigireachta wafer
Bow	≤ 40 µm	córas cigireachta wafer
Warp	≤ 40 µm	córas cigireachta wafer
Sliseanna	doimhneacht ≤0.3mm agus fad ≤ 0.5mm Max 2 / ríomhaire; gan V-sliseanna	Córas cigireachta súile nocht nó sliseog
Micrea-scoilteanna / poill	Ní cheadaítear	córas cigireachta wafer

Clibeanna Te: p cineál m10 wafer gréine monocrystalline, an tSín, soláthraithe, déantóirí, monarcha, déanta sa tSín