Wafer Gréine Monocrystalline Cineál P Cineál

Wafer Gréine Monocrystalline Cineál P Cineál

In 2019, seoladh Maf (210mm x 210mm) sliseoga mona p-Cineál (tinne sileacain trastomhas 295mm). Bhíothas ag súil go gcuirfeadh M12 agus M6 an fhormáid 6 ”M2 (156.75mm x 156.75mm).
Share to
Glaoigh Linn
Chatear nu'bya
Cur síos
Paraiméadair theicniúla


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


In 2019, seoladh Maf (210mm x 210mm) sliseoga mona p-Cineál (tinne sileacain trastomhas 295mm). Táthar ag súil go gcuirfidh M12 agus M6 an fhormáid 6 ”M2 (156.75mm x 156.75mm).


1 Airíonna ábhair

Maoin

Sonraíocht

Modh Cigireachta

Modh fáis

CZ


Crystallinity

Monocrystalline

Teicnící Fabhracha EtchASTM F47-88

Cineál seoltachta

Cineál P.

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bórón, Gallium

-

Tiúchan ocsaigine [Oi]

≦8E+17 ag / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Tiúchan carbóin [Cs]

5E+16 ag / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Dlús poll eitse (dlús dislocation)

500 cm-3

Teicnící Fabhracha EtchASTM F47-88

Treoshuíomh dromchla

& lt; 100> ± 3 °

Modh Díraonta X-gha (ASTM F26-1987)

Treoshuíomh taobhanna bréagacha cearnacha

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Modh Díraonta X-gha (ASTM F26-1987)

2 Airíonna leictreacha

Maoin

Sonraíocht

Modh Cigireachta

Friotaíocht

0.5-1.5 Ωcm

Córas cigireachta wafer

MCLT (saolré iompróra mionlaigh)

50 μs

Sinton BCT-400

(le leibhéal insteallta: 1E15 cm-3)

3Céimseata

Maoin

Sonraíocht

Modh Cigireachta

Céimseata

Cearnóg iomlán


Fad taobh Wafer

210 ± 0.25 mm

córas cigireachta wafer

Trastomhas Wafer

φ295 ± 0.25 mm

córas cigireachta wafer

Uillinn idir na taobhanna cóngaracha

90° ± 0.2°

córas cigireachta wafer

Tiús

18020/10 µm;

17020/10 µm

córas cigireachta wafer

TTV (Athrú iomlán tiús)

27 µm

córas cigireachta wafer


210mmx210mm M12 monocrystalline silicon solar wafer

4 Airíonna dromchla

Maoin

Sonraíocht

Modh Cigireachta

Modh gearrtha

DW

--

Cáilíocht dromchla

de réir mar a dhéantar iad a ghearradh agus a ghlanadh, ní cheadaítear aon éilliú infheicthe, (ola nó ramhar, priontaí méar, stains gallúnaí, stains sciodair, stains eapocsa / gliú)

córas cigireachta wafer

Saw marcanna / céimeanna

≤ 15µm

córas cigireachta wafer

Bow

≤ 40 µm

córas cigireachta wafer

Warp

≤ 40 µm

córas cigireachta wafer

Sliseanna

doimhneacht ≤0.3mm agus fad ≤ 0.5mm Max 2 / ríomhaire; gan V-sliseanna

Córas cigireachta súile nocht nó sliseog

Micrea-scoilteanna / poill

Ní cheadaítear

córas cigireachta wafer




Clibeanna Te: p cineál m12 wafer gréine monocrystalline, an tSín, soláthraithe, déantóirí, monarcha, déanta sa tSín

Glaoigh Linn
Glaoigh Linn