4H Leath-Wafer SiC inslithe

Cuireann foshraitheanna leathsheoltóra SiC friotachas ard agus airíonna teirmeacha den scoth, rud a fhágann go bhfuil siad oiriúnach d’fhás heteroepitaxial GaN agus feidhmchláir leathsheoltóra RF ardmhinicíochta. Mar -fheidhmíocht ardFoshraith SiC, úsáidtear go forleathan é le haghaidh gléasanna HEMT-i ardchórais chumarsáide, lena n-áirítear bonneagar 5G.

Na leath-inslithe seosliseog SiCairíonna optúla agus ábhartha den scoth a chur ar fáil freisin, ag tacú le feidhmchláir atá ag teacht chun cinn in optoelectronics agus i leictreonaic inchaite. 12-tá foshraitheanna orlach SiC ar fáil d’fheidhmchláir den chéad ghlúin eile ar nós gloiní AR agus ardfheistí optúla eile.

 

6-orlach
Trastomhas	150.0mm+0mm/-0.2mm
Treoshuíomh Dromchla	{0001}±0.2 céim
Treoshuíomh Maol Bunscoile	/
Treoshuíomh Cothrom Tánaisteach	/
Fad Maol Bunscoile	notch
Fad Comhréidh Tánaisteach	Dada
Treoshuíomh Notch	<1100>±1.0 céim
Doimhneacht notch	Dada1mm+0.25mm/-0mm ón imeall
Uillinn Notch	90 céim +5 céim /-1 chéim
Tiús	500.0um ± 25.0um
Cineál	Semi-inslithe

 

 

 

8-orlach
Trastomhas	200.0mm+0mm/-0.5mm
Treoshuíomh Dromchla	{0001}±0.2 céim
Treoshuíomh Maol Bunscoile	/
Treoshuíomh Cothrom Tánaisteach	/
Fad Maol Bunscoile	notch
Fad Comhréidh Tánaisteach	Dada
Treoshuíomh Notch	<1100>±1.0 céim
Doimhneacht notch	Dada1mm+0.25mm/-0mm ón imeall
Uillinn Notch	90 céim +5 céim /-1 chéim
Tiús	500.0um ± 25.0um
Cineál	Semi-inslithe

 

 

12-orlach
Trastomhas	300.0mm+0mm/-0.5mm
Treoshuíomh Dromchla	{0001}±0.5 céim
Treoshuíomh Maol Bunscoile	/
Treoshuíomh Cothrom Tánaisteach	/
Fad Maol Bunscoile	notch
Fad Comhréidh Tánaisteach	Dada
Treoshuíomh Notch	<1100>±5.0 céim
Doimhneacht notch	Dada1mm+0.25mm/-0mm ón imeall
Uillinn Notch	90 céim +5 céim /-1 chéim
Tiús	750.0um ± 25.0um
Cineál	Semi-inslithe